ГОСТ Р МЭК 60194-2-2019 Платы печатные. Проектирование, изготовление и монтаж. Термины и определения. Часть 2. Стандартное употребление в электронной технике, а также для печатных плат и техники электронного монтажа

Раздел библиотеки:31. ЭЛЕКТРОНИКА
Язык:
Год:
Язык:
>

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО

ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПЛАТЫ ПЕЧАТНЫЕ

Проектирование, изготовление и монтаж. Термины и определения

Часть 2

Стандартное употребление в электронной технике, а также для печатных плат и техники электронного монтажа

(IEC 60194-2:2017,

Printed boards — Design, manufacture and assembly — Vocabulary — Part 2: Common usage in electronic technologies as well as printed board and electronic assembly technologies, IDT)

Издание официальное

Москва Стандартинформ 2019

Предисловие

  • 1 ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием «СТАНДАРТИН-ФОРМ» () на основе собственного перевода на русский язык англоязычной версии стандарта, указанного в пункте 4

  • 2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 051 (МТК 051} «Система конструкторской документации»

  • 3 УТВЕРЖДЕН И 8ВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 27 сентября 2019 г. № 796-ст

  • 4 Настоящий стандарт идентичен международному стандарту МЭК 60194-2:2017 «Платы печатные. Проектирование, изготовление и монтаж. Термины и определения. Часть 2. Стандартное употребление в электронной технике, а также для плат печатных и техники электронного монтажа» (IEC 60194-2:2017 «Printed boards — Design, manufacture and assembly — Vocabulary — Part 2: Common usage in electronic technologies as well as printed board and electronic assembly technologies», IDT).

Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного стандарта для приведения в соответствие с ГОСТ Р 1.5—2012 (пункт 3.5).

Дополнительные сноски в тексте стандарта, выделенные курсивом, приведены для пояснения текста оригинала

  • 5 ВВЕДЕН 8ПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N9 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

© Стандартинформ. оформление. 2019

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии

Содержание

  • 1 Область применения

  • 2 Нормативные ссылки

  • 3 Термины и определения

Библиография

Введение

Установленные е стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области печатных плат, проектирования, изготовления и технике электронного монтажа.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Краткие формы, представленные аббревиатурой, приведены после стандартизованного термина и отделены от него точкой с запятой.

Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки. раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

В стандарте приведены эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

ГОСТ Р МЭК 60194-2—2019

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПЛАТЫ ПЕЧАТНЫЕ

Проектирование, изготовление и монтаж. Термины и определения

Часть 2

Стандартное употребление в электронной технике, а также для печатных плат и техники электронного монтажа

Printed boards design, manufacture and assembly. Terus and definitions. Part 2. Common usage in electronic technologies as well as pnnted board and electronic assembly technologies

Дата введения — 2020—06—01

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области печатных плат, проектирования, изготовления и технологии электронного монтажа.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации в области печатных плат и/или использующих результаты этих работ.

2 Нормативные ссылки

8 настоящем стандарте нормативные ссылки не используются.

3 Термины и определения

  • 3.1 А

    • 3.1.1 абразивная подстройка (abrasive trimming): Подстройка значения сопротивления пленочного компонента надрезом его поверхности точно-регулируемой струей абразивного материала.

    • 3.1.2 ускоренное старение, ускоренное испытание на долговечность (accelerated ageing, accelerated life test): Испытания, при которых такие параметры, как напряжение и температура, повышены относительно нормальных условий эксплуатации, для получения экспериментальных результатов старения за относительно короткий период времени.

    • 3.1.3 ускоренное испытание (экспресс-испытание) (acceleration factor AF): Определение срока службы электронных компонентов или электронных модулей за короткий период времени за счет воздействия на них более жестких условий испытания.

    • 3.1.4 коэффициент перегрузки; КП (acceleration factor AF): Отношение экстремальных условий испытаний к нормальным условиям эксплуатации.

    • 3.1.5 приемочный контроль/инспекция (acceptance inspection): «критерии* Проверка соответствия продукта техническим условиям, которые являются базовым документом при приемке.

Издание официальное

  • 3.1.6 приемлемый уровень качества; ПУК (acceptance quality level AQL): Максимальное количество дефектов (%) в партии (большом количестве), лри котором может быть осуществлена приемка с приемочной вероятностью около 90 % при испытании образца.

  • 3.1.7 приемочные испытания (acceptance tests): Согласованные между заказчиком и поставщиком испытания, которые считаются необходимыми, чтобы определить приемлемость изделия.

  • 3.1.8 погрешность (accuracy): Степень, в которой результат измерения или вычисления согласуется с истинным значением.

  • 3.1.9 активный компонент (active device): Электронный компонент, основная характеристика которого изменяется под действием входного сигнала.

Примечание — Активными компонентами могут быть диоды, транзисторы, тиристоры и интегральные схемы, которые используются для выпрямления, усиления, переключения и тд.. в составе аналоговых или цифровых схем, выполненных в виде монолитных или гибридных конструкций.

  • 3.1.10 навесной компонент (add-on component): Дискретные, или интегральные, или чип-комлоненты. которые подключены к пленочной схеме для завершения ее функциональности.

  • 3.1.11 адгезив (adhesive): Неметаллические материалы, которые могут присоединяться к твердым веществам поверхностным склеиванием и внутренним сцеплением (адгезия и сцепление).

Примечание — При поверхностном монтаже для прикрепления SMD к подложке используется эпоксидный клей.

  • 3.1.12 цельнометаллический корпус (all metal package): Корпус гибридной схемы, целиком выполненный из металла, без стекла или керамики.

  • 3.1.13 рабочие температуры (allowable temperature): Температурный диапазон, в пределах которого электронный модуль или компонент может выполнять заданные функции.

  • 3.1.14 алфавитно-цифровые данные (alphanumerical, adj): Данные, которые содержат буквы алфавита. десятичные цифры, и могут содержать управляющие символы, специальные символы и пробел.

  • 3.1.15 альфа-частица (alpha particle): Ядра атома гелия Не4, образующиеся в результате радиоактивного распада и способные генерировать электронно-дырочные пары в микроэлектронных приборах и вызывать их сбои, что приводит к ошибкам в работе ряда устройств.

  • 3.1.16 переменный ток (alternating currentAC): Электрический ток. который является периодической функцией времени с нулевым постоянным компонентом или. пренебрежимо малой постоянной составляющей.

Примечание —Для классификации АС см. МЭК 60050-151.

  • 3.1.17 внешняя среда (ambient): Окружающая среда, вступающая в контакт с системой или компонентом.

  • 3.1.18 амплитуда (amplitude): <Напряжение> максимальное значение напряжения переменного тока в пределах одного периода.

  • 3.1.19 аналоговая схема (analogue circuit): Электрическая схема, которая обеспечивает непрерывность соотношения между ее входным и выходным сигналами.

  • 3.1.20 анизотропия (anisotropy): Состояние материала, при котором различные значения характеристик. таких как диэлектрическая проницаемость, связаны с направлением в материале.

  • 3.1.21 анод (anode): Электрод, способный излучать положительные носители заряда и/или получать отрицательные носители заряда из среды с более низкой проводимостью.

Примечание 1 — Направление электрического тока определяется от внешней цели, через анод, к среде с более низкой проводимостью.

Примечание 2 — В некоторых случаях (например, электрохимические ячейки) термин «анод» применяют к одному или другому электроду, в зависимости от условий эксплуатации электрического устройства. В других случаях (например, электронные трубки и полупроводниковые приборы) термин «анод» относится к конкретному элехтроду.

  • 3.1.22 специализированная интегральная микросхема (application-specific, integrated circuit ASIC): Интегральная микросхема, предназначенная для выполнения специальных функций.

  • 3.1.23 область межсоединений корпуса (area array package): Корпус, который имеет выводы, расположенные в виде сетки на нижней стороне корпуса и содержащиеся внутри контура корпуса.

  • 3.1.24 сборка, собранная плата (assembly, assembled board): Множество деталей, модулей или их комбинаций, соединенных друг с другом.

Прим еча и и е — Этот термин может быть использован совместно с другими терминами, перечисленными в настоящем стандарте например «печатный узел».

  • 3.1.25 ослабление (attenuation): Уменьшение энергии электромагнитной волны при ее распространении. количественно представленное отношением плотностей потока мощности в двух указанных точках.

Прим еча н и е — Ослабление обычно выражается в децибелах.

  • 3.2 В

    • 3.2.1 заполнение (backfill): Заполнение корпуса гибридной схемы сухим инертным газом перед герметизацией.

    • 3.2.2 объединительная плата, задняя панель (backplane, backpanel): Монтажная конструкция, используемая для обеспечения электрических межсоединений от точки к точке.

Примечание —Это. как правило, печатная плата, которая имеет дискретный проводной монгаж на одной стороне и разъемы на другой стороне.

  • 3.2.3 перекрестная помеха в начале линии (backward crosstalk, near-end crosstalk): Помеха, наведенная в пассивной (нешумящей) линии, вызванная ее близостью к активной (шумящей) линии, которая наблюдается в наиболее приближенном к источнику помех конце линии.

Примечание —См. также3.6.21.

  • 3.2.4 сбалансированная линия передачи (balanced transmission line): Линия передачи, которая имеет равномерно распределенные параметры индуктивности, емкости, сопротивления и проводимости.

  • 3.2.5 шариковый вывод (ball): Металлические выпуклости, расположенные на монтажной поверхности корпуса компонента, используемые для создания соединения в следующей иерархии межсоединений.

  • 3.2.6 компонент BGA (ball grid array BGA): Компонент поверхностного монтажа, в котором шариковые выводы сформированы в узлах координатной сетки снизу корпуса.

Рисунок 1 — Компонент (BGA)

  • 3.2.7 штрих-код (barcode): Линейное расположение штрихов и пробелов в предусмотренном порядке.

  • 3.2.8 маркировка штрих-кодом (barcode marking): Идентификационный код. содержащий рисунок из вертикальных штрихов, ширина и интервал которых идентифицируют маркируемый предмет.

  • 3.2.9 символ штрих-кода (barcode symbol): Напечатанный или воспроизведенный фотографическим способом штрих-код. состоящий из параллельных штрихов и пробелов различной ширины.

Прим еча н и в — Символ штрих-кода содержит свободную начальную эону, начальный символ, символы данных, конечный символ и свободную конечную эону. В некоторых случаях а штрих-код могут быть включены контрольные символы.

  • 3.2.10 кристалл (bare die): Неупакованный отдельный полупроводник или интегральная схема с прокладками на верхней поверхности, подходящая для соединения с подложкой или корпусом.

  • 3.2.11 пленочное основание гибких печатных плат (base film): «Гибкие схемы» Пленка, которая является материалом основания для гибкой печатной платы, и на поверхности которой может быть сформирован проводящий рисунок.

Примечание — Если требуется термостойкость, в большинстве случаев используется погмамидная пленка, а полиэфирная пленка обычно используется, когда термостойкость не требуется.

  • 3.2.12 материал основания (base material, substrate): Изоляционный материал, на котором формируется проводящий рисунок.

Примечание — Материал основания может быть жестким, гибким или жестко-гибким. Он может быть диэлектрическим или металлическим листом, покрытым изоляционным слоем.

  • 3.2.13 толщина материала основания (base material thickness): Толщина материала основания за исключением проводящей фольги или других материалов, осажденных на его поверхности.

  • 3.2.14 базовая плоскость компонента (base plane): Плоскость, которая включает в себя самую нижнюю точку поверхности корпуса компонента, за исключением компонентов, монтируемых с зазором.

  • 3.2.15 основная спецификация (basic specification BS): Документ, который устанавливает общую информацию о классе, семействе или группе продукции, материалов и услуг.

  • 3.2.16 сопротивление изгибам (bending resistance): Способность материала выдерживать многократные изгибы с заданным размахом деформации без образования трещин и разломов сверх допустимых норм, установленных техническими условиями.

  • 3.2.17 откосы ткани (bias): «ткань» Петли нитей у ткани на краю полотна, образующиеся при переплетении основы ткани.

  • 3.2.18 биполярный элемент (bipolar device): Элемент, в котором присутствуют основные и неосновные носители заряда.

Примечание — Биполярный транзистор и транзистор «мегалп-сжсид-полупроводник» (МОП) являются двумя наиболее распространенными типами биполярных элементов.

  • 3.2.19 соединение (bond): Межсоединение, обеспечивающее неразъемное электрическое и/или механическое соединение.

  • 3.2.20 контактная прокладка (bond pads): Металлизированные области на кристалле, используемые для временного или постоянного электрического соединения.

  • 3.2.21 прочность сцепления (bond strength, pull strength): Сила, перпендикулярная к поверхности платы, необходимая для разделения двух смежных слоев платы.

Примечание — Прочность сцепления выражается как сила на еджицу площади.

  • 3.2.22 контактные площадки на кристалле микросхемы (bonding pad): <1С> Области металлизации на кристалле интегральной микросхемы, используемые для присоединения тонких проволок или схемных элементов к кристаллу.

  • 3.2.23 монтажный микропровод (bonding wire): Золотой или алюминиевый провод, используемый для изготовления электрических соединений между контактными площадками на кристалле и выводной рамкой или выводами корпуса.

  • 3.2.24 нить у ткани (bow. warp): «Ткань» Поперечная нить, которая лежит по ширине ткани.

  • 3.2.25 напряжение пробоя (break-down voltage): Напряжение, при котором изоляция между двумя проводниками нарушается.

  • 3.2.26 короткие замыкания (bridging): «Электрическое» непреднамеренное формирование проводящих путей между проводниками.

  • 3.2.27 упаковка россыпью (bulk packaging): Способ упаковки отдельных деталей в пакет или контейнер.

  • 3.2.28 кристалл с контактными элементами (bumped die): Полупроводниковый кристалл с выступающими металлическими элементами для обеспечения межсоединений.

  • 3.2.29 испытание на принудительный отказ (bum-in): «Испытание» процесс электрического испытания устройства при повышенной температуре в течение достаточного количества времени, чтобы вызвать отказ элементов, находящихся на границе диапазона работоспособности (выход из строя во время приработки).

  • 3.2.30 испытание на принудительный отказ (bum-in): «Динамический» Испытание на принудительный отказ при высоких температурах, моделирующее эффекты реальных или смоделированных условий работы.

  • 3.2.31 испытание на принудительный отказ (bum-in): «Статический» Испытание на принудительный отказ при высоких температурах с постоянным напряжением как при прямом, так и при обратном смещении.

  • 3.3 С

    • 3.3.1 емкость (capacitance): Мера способности двух соседних проводников, разделенных диэлектриком. удерживать электрический заряд, когда между ними имеется разность потенциалов.

    • 3.3.2 емкостная связь (capacitive coupling): Электрическое взаимодействие между двумя проводниками. которое обусловлено емкостью между ними.

    • 3.3.3 керамический компонент DIP (CERDIP) (ceramic dual in-line package CERDIP): Компонент c двухрядным расположением выводов (DIP), имеющий корпус из керамического материала, герметично запаянный стеклом.

Прим еча н и е — См. также 3.4.22.

  • 3.3.4 керамический компонент PGA (CPGA) (ceramic pin grid array, ceramic PGA): Компонент c матрицей выводов (PGA), корпус которого выполнен из керамики, герметично запечатанный металлом, с матрицей выступающих снизу корпуса выводов.

  • 3.3.5 керамический компонент QFP (CQFP) (ceramic quad flat package CQFP): Компонент (QPF). корпус которого выполнен из керамического материала, герметично запечатанный металлом, с выводами. расположенными периферийно со всех четырех сторон корпуса.

  • 3.3.6 сертификация (certification): Подтверждение того, что были проведены необходимые тренировки или тестирования, и что уровень или значения параметров соответствуют установленным требованиям.

  • 3.3.7 волновое сопротивление (characteristic impedance): Величина, определенная для режима распространения на заданной частоте в определенной однородной линии передачи или равномерного волновода одним из трех следующих соотношений:

Z, = S/I/I2.

Z2 = |U|2/S.

Z — комплексное волновое сопротивление;

S — комплексная мощность;

U. / ■— комплексные значения, соответственно напряжения и тока, как правило, определяемые для каждого типа режима по аналогии с уравнениями линии передачи.

Пример 1. Для линии передачи с параллельными проволоками U и I могут быть однозначно определены и три уравнения согласуются. Если линия передачи без потерь, характеристический импеданс является действительным.

Пример 2. Для волновода обычные определения для Uul зависят от типа режима и обычно приводят к трем различным значениям характеристического импеданса.

Пример 3. Для круглого волновода в доминирующем режиме ТЕ11 U = RMS напряжение вдоль диаметра. где величина вектора напряженности электрического поля является максимальной, I = r.m.s. продольный ток.

Пример 4. Для прямоугольного волновода в доминантном режиме ТЕЮ U = Напряжение RMS между серединами двух проводников по нормали к вектору напряженности электрического поля, I= RMS продольный ток. следующий по поверхности нормали к вектору напряженности электрического поля.

  • 3.3.8 химическое осаждение из паровой (газовой) фазы (chemical vapour deposition): Процесс, в котором пар и газ вступают в химическую реакцию с получением отложений на поверхности основания.

  • 3.3.9 (chip) кристалл: См. 3.4.11.

  • 3.3.10 кристаллодержатель (chip carrier): Низкопрофильный, как правило, квадратный, поверх-ностно-монтируемый корпус, в который вмонтирован кристалл микросхемы; его внешние соединения обычно расположены по четырем сторонам корпуса.

Примечание — Может быть с выводами или без выводов.

  • 3.3.11 чип на плате (chip-on-board СОВ): Технология сборки печатной платы, которая размещает неупакованные полупроводниковые элементы и соединяет их с помощью проводного соединения или аналогичных методов крепления.

Рисунок 3 — Чип на плате

  • 3.3.12 кристалл на гибкой плате; COF (chip-on-flex. COF): Полупроводниковый кристалл смонтированный непосредственно на гибкую печатную плату.

  • 3.3.13 кристалл на стекле (chip-on-glass COG): Технология сборки, которая использует неупакованный полупроводниковый кристалл, устанавливаемый непосредственно на стеклянную подложку, например на стеклянную панель жидкокристаллических дисплеев (LCD).

  • 3.3.14 корпус CSP (chip scale package CSP): Общий термин для сборочных технологий, которые заключаются в том, что корпус лишь незначительно больше, чем внутренний кристалл.

  • 3.3.15 схема (электрическая) (circuit): Набор электрических элементов и устройств, соединенных между собой для обеспечения заданной электрической функции.

  • 3.3.16 комплементарный металлооксидный полупроводник (complementary metal-oxide semiconductor): Технология изготовления, которая приводит к созданию как NMOS. так и PMOS FET-устройств.

  • 3.3.17 коаксиальный кабель (coaxial cable): Кабель в форме центрального проводника, окруженного проводящим цилиндром (трубкой) или оплеткой, служащей экраном и возвратным проводом.

  • 3.3.18 компенсационная схема (compensation circuit): Электрическая схема, дополняющая работу другой схемы, с которой она применяется для достижения желаемого результата работы.

  • 3.3.19 компонент (component): Отдельная деталь или несколько деталей, соединенных вместе, которые выполняют установленную(ые) функцию(и), заложенные при проектировании.

Примечание — См. также3.4.17.

  • 3.3.20 монтажное поле компонента (component mounting site): Участок на печатной плате, который состоит из контактных площадок и проводников к дополнительным контактным площадкам для тестирования или к переходным отверстиям, которые ассоциируются с монтажом отдельного компонента.

  • 3.3.21 компрессионное (холодносварное) уплотнение (compression seal): Плотное (герметичное) соединение между корпусом компонента и его выводами, которое сформировано за счет того, что горячий металл при охлаждении оседает и обжимает стеклянные изоляторы.

  • 3.3.22 автоматизированное проектирование: CAD (computer-aided design CAD): Интерактивное использование компьютерных систем, программного обеспечения и методов в процессе проектирования. при котором деятельность по принятию решений остается за человеком-оператором, а компьютер обеспечивает только функцию обработки данных.

  • 3.3.23 кондиционирование (conditioning): Воздействие на образец в течение определенного времени определенных климатических условий (как правило, с заданной температурой и заданной относительной влажностью) или атмосферы указанной относительной влажности или его полное погружение в воду или другую жидкость.

  • 3.3.24 проводимость (conditioning): Для резистивного двухполюсного элемента или двухполюсной цепи с клеммами А и В. частное от величины электрического тока г в элементе или цепи к напряжению иАВ (IEC 60050-131:2013.131-11-56) между клеммами.

где электричесюгй ток считается положительным, если его направление от А к В. и отрицательным, если его направление от В к А.

Примечание 1 — Проводимость элемента или схемы является обратным его сопротивлению.

Прим еча н и е 2 — Термин «проводимость» также применяется как «проводимость при переменном токе» (МЭК 60050-1312013,131-12-53).

Прим еча н и е 3 — В СИ единицей проводимости является сименс. S.

  • 3.3.25 проводящие чернила (conductive ink): Жидкая среда с суспензированным порошком из электропроводящего материала.

  • 3.3.26 проводящая среда (conductive medium): Среда с суспензированным порошком из электропроводящего материала.

  • 3.3.27 токопроводящий рисунок (conductive pattern, conductor pattern): Конфигурация, образованная электропроводящим материалом печатной платы.

(МЭК 60050-541:1990, 541-01-04)

  • 3.3.28 проводимость (conductivity): <Электричесхая> способность вещества или материала проводить электричество.

  • 3.3.29 проводимость (conductivity): «Тепловая* способность вещества или материала проводить тепло.

  • 3.3.30 проводник (conductor trace, conductor line, conductor path): Отдельный проводящий путь в проводящем рисунке.

(МЭК 60050-541:1990. 541-01-20]

  • 3.3.31 несущая панель (constraining core): Опорная панель внутри корпуса стойки для установки разьемов и межсоединений.

  • 3.3.32 пайка с управляемой осадкой припоя (constraining core); «Соединение компонента* Технология пайки компонентов («перевернутый кристалл». CSP. BGA) к подложке, путем управления высотой соединения за счет равновесия поверхностного натяжения жидкого припоя и веса компонента.

  • 3.3.33 копланарные выводы (coplanar leads): Плоские балочные выводы корпуса компонентов, сформированные так. что они все могут одновременно касаться плоскости материала основания.

  • 3.3.34 коронный разряд (corona): Электрический разряд, вызванный ионизацией жидкости, окружающей проводник, который происходит, когда градиент потенциала превышает определенное значение. но условия являются недостаточными для вызова полного электрического пробоя или дугообра-зования.

  • 3.3.35 рама для катушек (corona); Устройство, используемое в качестве емкости для пряжи, для удержания концов нитей в секционной катушке.

  • 3.3.36 критический дефект (critical defect): Аномалия, определенная как неприемлемая.

  • 3.3.37 перекрестные помехи, ложный сигнал (crosstalk, spurious signal): Нежелательная передача электрической энергии между соседними проводниками путем взаимной индуктивности и емкости.

Примечание — См. также термины 32.3 и 3.6.21.

3.3.36 чашкообразное искривление BGA (cupping): «BGA> Состояние компонента BGA после оплавления, где углы загнуты вверх и в сторону от ламинированной поверхности печатной платы.

Примечание 1 — Эго условие в худшем случае приводит к тому, что шарики на внешнем ряду находятся в напряжении, а шарики в центре — в сжатом состоянии.

Примечание 2 — Противоположно термину «куполообразный BGA».

  • 3.3.39 ток (current): Поток или движения электронов в проводнике в результате разности потенциалов между концами проводника.

  • 3.3.40 токонесущая способность (current-carrying capacity). Максимальный электрический ток. который может протекать в проводнике при определенных условиях без нежелательного ухудшения электрических и механических свойств изделия.

  • 3.3.41 частные технические условия для потребителя (customer detail specification CDS): Документ. который устанавливает определенные требования, указанные в частных технических условиях, для того, чтобы адаптировать продукцию запросам потребителя изделия, материала или сервисного обслуживания.

  • 3.4 D

    • 3.4.1 поломка (damage): Событие, которое вызывает деградацию продукта, например компонентов. печатных плат, модулей и т.п., в результате несоответствия ограничениям на форму, монтаж и функцию, предусмотренным в нормативных документах.

    • 3.4.2 сбор данных (data capture): Автоматический сбор информации с определенного устройства или другого источника информации.

    • 3.4.3 база данных (database); Обширная совокупность информации, структурированная таким образом, что часть данных или все данные могут быть использованы для создания запросов о связанных элементах, содержащихся внутри нее.

    • 3.4.4 перевернутая ориентация (dead-bug, adj): Ориентация корпуса с выводами, направленными вверх.

    • 3.4.5 развязка (decoupling): Подавление шумовых импульсов в цепях питания, которые появляются из-за переключений логических схем, для того, чтобы предотвратить ложные срабатывания других логических схем в той же самой схеме питания.

    • 3.4.6 дефект (defect): Несоответствия или другие факторы риска, обнаруженные производителем.

Примечание — Несоответствие процесса и/или материала может привести к ухудшению функциональных показателей, срока службы или надежности.

  • 3.4.7 деградация (degradation): Нежелательное отклонение в эксплуатационных характеристиках любого устройства, оборудования или системы от его предполагаемой производительности.

Примечание — Термин «деградация» мажет применяться к временному или постоянному отказу устройства.

  • 3.4.8 частные технические условия (detail specification): Подробное письменное описание детали или процесса.

  • 3.4.9 базовая пластина кремния (dice): Два или более кристалла микросхемы.

  • 3.4.10 резка кристалла (dicing): Разделение полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы микросхемы.

  • 3.4.11 кристалл (die, chip, leadless device): Отдельная часть (или вся) кристаллическая пластина, предназначенная для выполнения функции или функций в устройстве.

  • 3.4.12 крепление кристалла (die bonding): Прикрепление кристалла к подложке.

  • 3.4.13 бескорпусный кристалл (die device); Кристалл без корпуса, с соединительными структурами. или без них. или минимально упакованный кристалл микросхемы.

  • 3.4.14 электрическая прочность диэлектрика (dielectric strength): Максимальное напряжение, которое может быть приложено к диэлектрику при определенных условиях, не приводящее к электрическому пробою.

Прим еча ние — Как правило, выражается в вольтах на единицу толщины.

  • 3.4.15 цифровая схема (digital circuit): Электрическая схема, которая обеспечивает два (двоичная) или три явных состояния между входом и выходом.

  • 3.4.16 постоянный ток (direct current DC): Электрический ток, который не зависит от времени, или, в более широком смысле, периодический ток. постоянная составляющая которого имеет первостепенное значение.

Прим еча ние — Классификация постоянного тока приведена в МЭК 60050-151.

  • 3.4.17 дискретный компонент (discrete component): Отдельный компонент, выполняющий отдельную электронную электрическую функцию при работе в схеме (например, резистор, конденсатор, транзистор).

  • 3.4.18 куполообразный BGA (doming): <BGA> Состояние пакета компонента 8GA после оплавления. в котором углы повернуть вниз и в сторону ламинированной поверхности печатной платы.

Примечание 1 — Это условие в худшем случае приводит к тому, что шарики на внешней поверхности будут сжаты, а шарики в центре будут в напряжении.

Прим еча н и е 2 — Противоположно термину см. 3.3.38.

  • 3.4.19 присадка (doping): Добавление определенной примеси к части кремниевого монокристалла для изменения проводимости кристалла в определенном порядке с целью получения полупроводниковых приборов из этого кристалла.

  • 3.4.20 двухсторонняя сборка (double-sided assembly): Структура компоновки и межсоединений с компонентами, смонтированными на обеих сторонах подложки.

Примечание — См. также термин 3.19.19.

  • 3.4.21 сухой контейнер (dry pack): Контейнер, который поддерживает содержание влаги в пакетах устройств на бескорлусных кристаллах в заданных пределах.

  • 3.4.22 DIP корпус (dual in-line package DIP): Прямоугольный корпус компонента с рядами выводов вдоль длинных сторон корпуса, сформированных под прямым углом к плоскости, параллельной основанию корпуса.

  • 3.5 Е

    • 3.5.1 сглаживание фронта импульса (edge-transmission attenuation): Потеря четкости границы изменения напряжения переключения логического сигнала, вызванная поглощением высокочастотных гармоник линией передачи.

Примечание —См. также термин 3.1.25.

  • 3.5.2 электрические характеристики (electrical characteristics): Характерные электрические особенности или свойства компонента или сборки.

  • 3.5.3 электромагнитная совместимость (electromagnetic compatibility ЕМС): Способность устройства функционировать должным образом в своей рабочей среде, не вызывая электромагнитные помехи к другому оборудованию, или быть самому восприимчивым к внешним помехам.

  • 3.5.4 электромагнитное возмущение (electromagnetic interference EMI): Ухудшение производи* тельности единицы оборудования, канала передачи или системы, вызванное электромагнитными по* мехами.

Примечание 1 — Во французском языке термины «электромагнитное возмущение» и «электромагнитные помехи» обозначают соответственно причину и эффект, и не должны использоваться без различия.

Примечание 2 — В английском языке термины «электромагнитные помехи» и «электромагнитное возмущение» обозначают соответственно причину и эффект, но они часто используются без различия.

  • 3.5.5 электростатический разряд (electrostatic discharge ESD): Передача электрического заряда между телами с различным электростатическим потенциалом вблизи или через прямой контакт.

  • 3.6 F

    • 3.6.1 фарада (farad): Единица измерения электрической емкости.

    • 3.6.2 перекрестная помеха на дальнем конце (far-end crosstalk): См. 3.6.21.

    • 3.6.3 повреждение (fault): Любое условие, которое приводит к выходу из строя устройств или схемы с нарушением его функционирования.

    • 3.6.4 пленочный проводник (film conductor): Проводник, сформированный на материале основания нанесением проводящего материала методом трафаретной печати, гальванопластики или вакуумного напыления.

    • 3.6.5 пленочная интегральная схема (film network): Электрическая схема, состоящая из тонкопленочных и/или толстопленочных компонентов на подложке.

    • 3.6.6 выходной контроль (final inspection, delivery inspection): Оценка качественных характеристик продукции по стандарту, спецификации или чертежу перед отгрузкой потребителю.

    • 3.6.7 окончательная герметизация (final seal): Технологический процесс, который завершает изготовление корпуса микросхемы так. чтобы в дальнейшем внутренняя обработка не могла быть выполнена без удаления крышки или иной разборки корпуса.

    • 3.6.8 слабое течение (fine leak): Течь в герметизированном корпусе, не превышающая 0.00001 см3/С при разнице давлений 1 атм.

    • 3.6.9 компонент QFP с малым шагом выводов (fine pitch QFP): Корпус QFP с шагом выводов менее 0.635 мм.

    • 3.6.10 корпус типа «flat pack» (flat pack): Прямоугольный корпус компонента содержащий ряд выводов, расположенных параллельно друг другу и выходящих из длинных сторон корпуса на всей их длине.

    • 3.6.11 гибкая двухсторонняя печатная плата (flexible double-sided printed board, double-sided flexible printed wiring board): Двухсторонняя печатная плата на основе только гибкого материала.

    • 3.6.12 конструкция межсоединений на гибкой основе (flexible material interconnect construction. FMIC): Интеграция пассивных и активных компонентов с механическими компонентами (включая переключатели и разъемы) на гибком или тонком материале основания, т.е. гибкая печатная плата, предназначенная для создания электронных сборок.

    • 3.6.13 гибкая многослойная печатная плата (flexible multilayer printed board): Многослойная печатная плата на основе только гибкого материала.

Примечание — Различные области гибкой многослойной печатной платы могут иметь разное количество слоев и различную толщину и. следовательно, различную гибкость.

  • 3.6.14 гибкая печатная плата (flexible printed board): Печатная плата на основе только гибкого материала.

Примечание — Она может быть частично снабжена электрически нефункциональными ребрами жесткости и/или слоями покрытия.

  • 3.6.15 гибкая печатная схема (flexible Tinted circuit): Рельефная конструкция печатных схем и компонентов. в которых используется гибкий материал основания с гибким покрывающим слоем или без него.

  • 3.6.16 гибкий печатный монтаж (flexible printed wiring): Рельефная конструкция печатного монтажа, в которой используется гибкий материал основания с гибким покрывающим слоем или без него.

  • 3.6.17 гибкая односторонняя печатная плата (flexible single-sided printed board): Односторонняя печатная плата с использованием только гибкого материала основания.

  • 3.6.18 гибко-жесткая двухсторонняя печатная плата (flex-rigid double-sided printed board): См. 3.18.15

  • 3.6.19 гибко-жесткая печатная плата (flex-rigid printed board): См.: 3.18.16.

  • 3.6.20 компонент типа «flip chip»(flip chip): Безвыводная монолитная структура элемента схемы, которая электрически и механически соединяется с печатной платой с помощью проводниковых выпуклостей (шишек, столбиков, шариков).

    Наплыв 97/3 или 95/5 Sn / Pb

    Медный

    и 0/0 ЦО ООО Тепловой / \ Шарики припоя

    проводник

Рисунок 4 — Компонент типа «flip chip»

  • 3.6.21 перекрестная помеха в конце линии (forward crosstalk, far-end crosstalk): Помеха, наведенная в пассивной (нешумящей) линии, вызванная ее близостью к активной (шумящей) линии, которая наблюдается на наиболее удаленном от источника помех конце линии.

Прим еча н и е — См. также 32.3.

  • 3.6.22 частота (frequency): «Электрический ток> Число циклов (герц) или завершенных изменений в секунду.

  • 3.6.23 полностью аддитивный процесс (fully additive process, fully electroless process): Аддитивный процесс, в котором вся толщина электрически изолированных проводников получается путем применения процесса химической металлизации.

  • 3.7 G

    • 3.7.1 общие технические условия (generic specification GS): Документ, который описывает набор общих требований столь полно, насколько это возможно, применительно к набору, семейству или группе продуктов, материалов или услуг.

    • 3.7.2 тестирование по принципу «годен-не годен» (go/no-go testTecr): Процесс тестирования, который дает результат только об исправном или неисправном состоянии.

    • 3.7.3 негерметичность корпуса (gross leak): Утечка в герметичном корпусе превышающая 0.00001 см3/с при разности давления 1 атм.

    • 3.7.4 заземление (ground): Общая контрольная точка для обратного провода электрических цепей. цепей экранирования или теплоотводов.

    • 3.7.5 слой заземления (ground plane): Проводящий слой, или его часть, которая служит общей точкой отсчета (напряжения) для возвратных токов электрических цепей экранирования или теплосто-ков.

  • 3.8 Н

    • 3.8.1 сборка (header): «Модуль» Носитель корпусов электронных компонентов, содержащий выводы.

    • 3.8.2 теплоотвод (heatsink, thermal shunt): Механическое устройство, выполненное из материала с высокой теплопроводностью и низкой удельной теплоемкостью, которое рассеивает теплоту, вырабатываемую компонентом или сборкой.

    • 3.8.3 герметичность (hermetic): «изоляции» Приемы изоляции компонента от диффузии проникающих газов, как правило, менее 1 « 10 е см3/с.

    • 3.8.4 гистограмма (histogram): Диаграмма, которая отображает значения, которые были полученные путем деления диапазона набора данных на равные интервалы, и количество точек данных в каждом интервале.

Рисунок 5 — Гистограмма

  • 3.8.5 концентратор (horn): Конусообразный объект, передающий ультразвуковую энергию от преобразователя передающего устройства.

  • 3.8.6 гибридная схема (hybrid circuit): Схема, размещенная на изоляционном основании с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов, полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую цепь.

Примечание —См. 3.13.15 и 3.13.16.

  • 3.8.7 гибридная интегральная схема (hybrid integrated circuit): Схема, размещенная на изоляционном основании с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов. полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую цепь, выполняющая такую же функцию, что и единая полупроводниковая интегральная схема.

  • 3.8.8 гибридная микросхема (hybrid microcircuit): Схема, размещенная на изоляционном материале основания с различными комбинациями связанных пленочных проводников, пленочных компонентов. полупроводниковых кристаллов, пассивных компонентов и межсоединений, образующих электрическую схему.

3.91

  • 3.9.1 условия погружения (immersion conditions): Условия испытания, при котором выводы по-верхностно-монтируемого компонента погружают в припой для проверки устойчивости к температурам пайки.

  • 3.9.2 волновое сопротивление (impedance): Сопротивление электрической цепи, состоящей из комбинации сопротивления, емкости и индуктивности, при нагружении ее током, меняющимся во времени.

Примечание — Единицей измерения волнового сопротивления является Ом. и. 8 принципе, оно равно корню квадратному из суммы квадратов оопротиалешя. реактивного сопротивления и тдуктивносги.

  • 3.9.3 индуктивность (inductance): Свойство проводника, позволяющее ему накапливать энергию в магнитном поле индуцированным током, протекающим через него.

Примечание — Единицей измерения является генри (Н).

  • 3.9.4 входной вектор (input vector): Набор логических значений, которые будут применяться к полному набору входных контрольных точек в любой момент времени.

  • 3.9.5 вносимые потери (insertion loss): Соотношение передаваемой мощности электромагнитной энергии и падения мощности.

Примечание 1 — Потеря мощности включает в себя потерю пут ем преобразования в тепло в диэлектрике и в проводниках.

Примечание 2 — Вносимые потери, хак правило, выражаются в децибелах (дБ).

  • 3.9.6 контрольная партия (inspection lot): Партия образцов продукции, идентифицируемых и рассматриваемых как единое целое, в которой извлеченный из партии образец подвергается контролю и испытаниям с целью определения соответствия партии определенным критериям.

  • 3.9.7 интегральная схема (integrated circuit): Комбинация нерасчленяемых элементов схемы, сформированных вместе и расположенных на/или внутри одного материала основания для выполнения электрических функций.

  • 3.9.6 интегрированный пассивный компонент (integrated passive component): Несколько пассивных компонентов, которые разделяют подложку и корпус.

Прим еча н и е — Интегрированные пассивные компоненты могут быть размещены внутри слоев первичной соединительной подложки и. таким образом, станут встроенными пассивными компонентами. В качестве альтернативы эти компоненты могут находиться на поверхности отдельной подложки, которая затем помещается в корпус и монтируется поверх первичной соединительной подложки, становясь пассивными массивами или пассивными сетями.

  • 3.9.9 межсоединение (interconnection): Присоединение электрических устройств для завершения схемы.

  • 3.10 J

  • 3.10.1 джиссо (jisso): Общее решение для соединения, сборки, упаковки, монтажа и интеграции системы проектирования.

Примечание — Японский термин.

  • 3.10.2 J-образный вывод (J-leads): Предпочтительная форма монтажного вывода, используемая на безвыгодных пластиковых кристаллодержателях типа PLCC. названных так потому, что вывод отходит от корпуса по оси Z рядом с ним. формируется вниз, затем закручивается под корпус.

Примечание — Так сформированный вывод имеет форму буквы «J».

  • 3.10.3 температура перехода (junction temperature): Температура области перехода между полупроводниковым материалом p-типа и п-типа в транзисторе или диоде во время работы.

    • 3.11 К

      • 3.11.1 эталонный кристалл (known good die KGD): Полупроводниковое изделие в виде кристалла. обеспечивающее полный эквивалент качества и надежности, как его прототип.

      • 3.11.2 протестированный кристалл (known tested die КТО): Полупроводниковое изделие в виде кристалла, функции которого подтверждены пробными испытаниями, соответствующий ожидаемой функциональности кристалла в корпусе без полной гарантии качества от поставщика (поставщиков).

Примечание — Требования к испытаниям соответствуют AABUS.

  • 3.12 L

    • 3.12.1 матрица выводов (land grid array LGA): Квадратный корпус с контактами, расположенными в узлах координатной сетки на основании корпуса.

    • 3.12.2 большая интегральная схема (large-scale integration LSI): Интегральная схема с более чем 100 элементами.

    • 3.12.3 наслаивание (послойное наращивание) (lay-up): Процесс объединения одного или более внутренних слоев и препрега или отдельного слоя (слоев) в слоистую конструкцию.

Примечание — Конструкция может содержать внутренние и внешние слои и слои фольги.

  • 3.12.4 рамка с внешними выводами (lead frame): Металлический блок корпуса компонента, на котором монтируется кристалл интегральной схемы и формируется структура межсоединений от кристалла к внешним выводам.

  • 3.12.5 бессвинцовый припой (lead-free solder): Сплав, который не содержит более 0.1 % свинца (РЬ) по массе и используется для соединения компонентов к подложкам или для покрытия поверхностей.

  • 3.12.6 кристаллодержатель с выводами (leaded chip carrier): Кристаллодержатель. внешние соединения которого состоят из выводов, которые расположены вокруг и под корпусом.

  • 3.12.7 компонент поверхностного монтажа с выводами (leaded surface-mount component); Компонент поверхностного монтажа, внешние соединители которого состоят из выводов, находящихся вокруг корпуса и под ним.

Примечание — См. также 3.12.8.

Рисунок 6 — Компонент поверхностного монтажа с выводами в форме «крыло чайки»

  • 3.12.8 беэвыводной компонент поверхностного монтажа (leadless surface-mount component, leadless component, leadless device): Компонент поверхностного монтажа, внешние выводы которого представляют собой локальные области металлизации, являющиеся неотъемлемой частью корпуса компонента.

Примечание — См. также3.12.7.

  • 3.12.9 ток утечки (leakage current); Нежелательное протекание электрического тока по поверхности или сквозь изолятор.

  • 3.12.10 вэаимоиндуктивность линий (line coupling): Взаимодействие между двумя линиями передачи. которое обусловлено их взаимной индуктивностью и емкостью.

  • 3.12.11 емкость нагрузки (load capacitance): Емкость на выходе логической схемы или другого источника сигнала.

  • 3.12.12 логическая схема (logic circuit): Функциональная цифровая схема, используемая для выполнения вычислительных функций.

  • 3.12.13 логическая диаграмма (logic diagram): Изображение, отражающее многостадийное устройство реализации логических функций с логическими символами и дополнительными системами обозначения, подзывающими детали потока сигнала и контроля, но необязательно от точки до точки.

  • 3.12.14 система логических схем (logic family): Совокупность логических функций, использующих одну форму электронных схем, например эмиттерно-свяэанную логику (ECL). транзисторно-транзисторную логику (TTL). комплементарную металло-оксидную полупроводниковую логику (CMOS).

  • 3.12.15 приемлемое число выборки (lot accept number): Максимальное количество изделий, которые могут не выдержать испытание, не вызывая отказ от всей партии.

  • 3.12.16 неприемлемое число выборки (lot reject number): Количество изделий, которые не выдержали испытание, вызывающее отказ от всей партии.

  • 3.12.17 размер партии (lot size, batch size): Количество изделий, произведенных в одном непрерывном. бесперебойном производственном цикле.

  • 3.12.18 яркость (luminance, brightness): Величина, вычисляемая по формуле

L d<Pv

* dAcosttdQ

где — световой поток, передаваемый элементарным пучком, проходящим через данную точку и распространяющимся в телесном угле di>. содержащим данное направление:

сИ — площадь сечения этого пучка, содержащая данную точку;

(I — угол между нормалью к этому сечению и направлением луча.

Единица измерения: кд м-2 — Дм ■ м’2 — стер»1.

  • 3.12.19 световая энергия (luminous energy): Мера потока световой энергии. Интеграл по времени светового потока.

Прим еча н и е — Световая энергия измеряется в пмс (люмен в секунду).

  • 3.12.20 световой поток (luminous flux): Величина, вычисляемая по формуле

0=Km|v(X>P(>.)dX.

гдеР(л) — спектральная плотность мощности, излучаемой источником на длине волны л;

У(>.) — спектральная световая эффективность:

Кт — постоянная.

Прим еча н и е — В системе единиц СИ. где Р(>.) выражается s ваттах на метр, световой поток Ф выражается 8 люменах, и Кт = 683 лм/Вт.

  • 3.13 м

    • 3.13.1 основной дефект (major defect): Дефект, который, вероятно, приведет к поломке изделия или продукта или существенно снизит его пригодность по основному назначению.

    • 3.13.2 металлооксидный полупроводник (metal-oxide semiconductor MOS): Технология изготовления. в результате которой создаются FET-устройства (устройства на полевых транзисторах).

    • 3.13.3 микросхема (microcircuit): Комбинация эквивалентных элементов цепи с относительно высокой плотностью, соединенных таким образом, чтобы функционировать как самостоятельный компонент электронной схемы.

    • 3.13.4 модуль микросхем (microcircuit module): Комбинация микросхем и отдельных компонентов, соединенных между собой таким образом, чтобы являться завершенной сборкой электронной схемы.

    • 3.13.5 микроэлектроника (microelectronics): Область электронных технологий, занимающаяся созданием электронных систем из микроминиатюрных электронных элементов, устройств и частей.

    • 3.13.6 высокочастотная интегральная схема (microwave integrated circuit): Интегральная схема, работающая на сверхвысоких частотах.

    • 3.13.7 микроволны (microwave): Общий термин, применяемый для радиочастот в диапазоне от 1 до 100 ГГц.

Прим еча н и е — Термин «микроволны» е цепом относится к диапазону частот, 8 котором межсоединения цепей и устройств описываются распределенными параметрами вместо сосредоточенных элементов.

  • 3.13.8 минимально упакованный кристалл (minimally-packaged die MPD): Кристалл, к которому была добавлена некоторая внешняя упаковка и взаимосвязанная структура для целей защиты и простоты в обращении.

Прим еча н и е — Это определение включает в себя такие технологии, как корпус CSP. в котором размер корпуса не превышает площадь кристалла.

  • 3.13.9 малозначительный дефект (minor defect): Дефект, который, скорее всего, не приведет к отказу изделия или продукта, или существенно снизит возможность его использования по назначению.

  • 3.13.10 смешанная технология монтажа компонентов (mixed component mounting technology): Технология монтажа компонентов, использующая как монтаж в сквозные отверстия, так и технологию поверхностного монтажа в одной компоновке и структуре межсоединений.

  • 3.13.11 модуль (module): Отдельное устройство в компоновке изделия.

  • 3.13.12 влагозащитная тара (moisture barrier bag МВБ): Тара, которая предотвращает электростатический разряд и ограничивает попадание в нее паров воды, используемая для упаковки деталей, чувствительных к влаге.

  • 3.13.13 твердотельная интегральная схема (monolithic integrated circuit): Интегральная схема в виде монолитной структуры.

  • 3.13.14 формованное устройство соединения (moulded interconnection device): Сочетание формованной пластиковой подложки и проводящих пленок, которые обеспечивают механические и электрические функции межсоединений.

  • 3.13.15 многокристальный модуль (muiti-chip module МСМ): <структура> Модуль, который содержит два или более кристалла и/или минимально упакованных кристалла.

Примечание — См. также 3.13.16.

  • 3.13.16 многокристальный компонент (mulU-chip package МСР): Компонент, который содержит два или более кристалла и/или минимально упакованных кристалла.

Примечание —См. также3.13.15.

  • 3.13.17 многокристальный модуль, многокристальный компонент, многокристальная микросхема (multichip module МСМ. muttichip integrated circuit, multichip microcircuit): Многокристальный модуль, состоящий, прежде всего из плотно упакованных кристаллов интегральных схем, который имеет плотность покрытия 30 % или более.

  • 3.14 N

    • 3.14.1 номинал (nominal): Целевой проектный размер физической характеристики изделия или фрагмента, для которых может применяться допуск для установления приемлемых пределов отклонения от заданного значения.

    • 3.14.2 номинальное значение (nominal value): Среднее значение между минимальным и максимальным отклонением.

  • 3.15 0

    • 3.15.1 выходной вектор (output vector): Набор логических значений, ожидаемых или измеренных, для всех выходных контактов в конкретном шаге теста на обьекте испытаний.

  • 3.16 Р

    • 3.16.1 корпус (package): Общий контейнер, защищающий один или более электронных компонентов от механического, электрического воздействия и воздействия окружающей среды в течение срока службы и обеспечивающий межсоединения.

    • 3.16.2 крышка корпуса (package cap): Крышка корпуса в форме чаши.

    • 3.16.3 крышка корпуса (package cover): Крышка, закрывающая содержимое в углублении корпуса на заключительной операции герметизации.

    • 3.16.4 плоская крышка корпуса (package lid): Плоская крышка корпуса.

    • 3.16.5 сборка (packaging): Процесс упаковки одного или нескольких электронных компонентов в корпус.

Примечание — Использование термина «сборка» в качестве причастия (например, «при сборке микросхем 8 DIP-корпуса..») является устаревшим.

  • 3.16.6 электронный модуль (packaging and interconnecting assembly): Термин для сборки, которая имеет компоненты, смонтированные на одной или двух сторонах модуля и структуру межсоединений.

Примечание — «Электронныймодуль» представляет собой общий термин.

  • 3.16.7 растрескивание корпуса (package cracking): Трещины в пластиковом корпусе интегральной микросхемы, вызванные напряжением, возникающим в результате воздействия высокой температуры пайки.

Примечание — Эти трещины могут распространяться от кристалла игы контактной площадки на кристалле до поверхности корпуса компонента или проходить только частично к поверхности выхода выводов из корпуса.

  • 3.16.6 пассивный массив (passive array): Несколько пассивных компонентов, аналогичной функции. которые формируются на поверхности отдельной подложки и упаковываются в один корпус SMT и устанавливаются на первичной соединительной подложке (рисунок 7).

Рисунок 7 — Пассивный массив

Прим еча н и е — Примеры включают в себя множество конденсаторов или резисторов.

  • 3.16.9 пассивный компонент (passive component): «Элемент» Дискретное электронное устройство. основные параметры которого не изменяются при прохождении через него сигнала.

Прим еча н и е — Пассивные компоненты включают в себя такие компоненты, как резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности.

  • 3.16.10 пассивная сеть (passive network): Несколько пассивных компонентов, которые имеют более одной функции и сформированы на поверхности отдельной подложки и упакованы в одном корпусе SMT.

Прим еча н и е 1 — Корпус затем монтируется на основной подложке взаимосвязанной системы.

Прим еча н и е 2 — Пассивные сети обычно имеют несколько внутренних соединений, чтобы сформировать простые функции, такие как окончания или фильтры.

  • 3.16.11 максимальная температура корпуса (peak package body temperature): Максимальная температура, достигаемая отдельным корпусом упаковки при определенном уровне влажности (MSL).

  • 3.16.12 периферийный участок герметизации (perimeter seating area): Поверхность по периметру углубления в корпусе компонента, используемая в качестве крепления крышки корпуса.

  • 3.16.13 фотометрия (photometry): Измерение интенсивности и мощности видимого света, при котором интенсивность света сравнивается с интенсивностью света, измеренной с помощью определенного приемника.

Примечание — Фотометрия включает визуальную, физическую и фотографическую фотометрии. Для визуальной фотометрии глаз является приемником.

  • 3.16.14 усилие захвата (pick-up force): Усилив, необходимое, чтобы извлечь поверхностно-монти-руемый компонент из упаковочной среды для размещения на подложке.

  • 3.16.15 инструмент для захвата (pick-up tool): Инструмент, используемый для извлечения ло-верхностно-монтируомого компонента из упаковки для размещения на подложке, который может быть с ручным приводом или быть частью оборудования для захвата и установки.

  • 3.16.16 матрица штырьковых выводов (pin grid array PGA): Квадратный или прямоугольной формы корпус компонента со штырьками, расположенными с определенным шагом, и выступающими за плоскость основания перпендикулярно к плоскости корпуса (рисунок 8).

Рисунок 8 — Матрица штырьковых выводов

  • 3.16.17 пластмассовый корпус с матрицей шариковых выводов (plastic baH grid array, PBGA): Корпус на полимерной основе с межсоединениями, выполненными в виде сфер из припоя олоео-сеинец.

Примечание — Межсоединения расположены в виде матрицы на стороне корпуса, обращенного к плате.

  • 3.16.18 пластмассовый компонент (plastic device): Полупроводниковый компонент, у которого корпус или герметик из пластмассы.

  • 3.16.19 пластмассовый кристаллодержатель с выводами (plastic leaded chip carrier, PLCC): Семейство поверхностно-монтируомых корпусов интегральных микросхем с выводами, выходящими со всех четырех сторон корпуса, как правило, с шагом между выводами 1,27 мм.

  • 3.16.20 пластмассовый плоский корпус (plastic quad flat pack. PQFP): Семейство поверхностно монтируемых корпусов интегральных микросхем, ограниченными по всем четырем сторонам бамперами. с выводами по четырем сторонам корпуса, отформованными в виде «крыло чайки».

  • 3.16.21 мощность рассеяния (power dissipation): Энергия, используемая электронным устрой* ством в процессе функционирования.

  • 3.16.22 индуктивность слоя питания (power plane inductance): Индуктивность по отношению к частотным шумам, проявляющаяся в шинах постоянного тока в объединительной плате.

лицевая сторона (primary side, component side)1); Сторона компоновки и структуры межсоединений. которая указана в качестве определяющей на конструкторском чертеже.

Примечание — Эю. как правило, та сторона, которая содержит наиболее сложные компоненты или наибольшее количество компонентов.

  • 3.16.23 печатные платы, доска (printed board. РВ. board, circuit card, finished board): Полностью изготовленные печатные схемы и структуры печатных проводников.

Примечание 1 — Включает в себя односторонние, двусторонние и многослойные платы с жестхими. гибкими и жестко-гибкими основаниями.

Примечание 2 — «Печатная плата» является общим термином.

  • 3.16.24 печатный узел (printed board assembly): Сборка, в которой используется печатная плата для установки компонентов и обеспечения межсоединений.

Примечание — «Печатный узел» является общим термином.

Терминологическая статья приведена без номера в соответствии с IEC 60194-2:2017.

  • 3.16.25 печатная схема, плата схемы (pnnted circuit, circuit board): Проводящий рисунок, состоящий из печатных элементов, печатных проводников, дискретного монтажа или их комбинации, который формируется по заданной конфигурации на общем основании.

Примечание — Это также общий термин, который используется для описания печатной платы, которая производится в соответствии с любой из имеющихся технологий.

  • 3.16.26 печатная схемная плата (printed circuit board): Печатная плата, которая обеспечивает как непосредственные соединения, так и имеет печатные компоненты заданной конфигурации на общем основании.

Прим еча н и е — См. также 3.16.23.

  • 3.16.27 печатный компонент (printed component): Элемент (например, индуктивность, резистор, конденсатор или линия передачи), который формируется как часть проводящего рисунка печатной платы.

  • 3.16.28 печатный компонент (printed component): «проводящие чернила* Компонент (например, печатная индуктивность, резистор, конденсатор или линия передачи), составляющий часть рисунка печатной схемы.

  • 3.16.29 печатный контакт (printed contact): Часть проводящего рисунка, которая служит в качестве одной части контактной системы.

  • 3.16.30 слой печатной электроники (pnnted electronics sheet board): Лист (слой), формирующий электронно-функциональный рисунок и/или устройства в крупномасштабной печати проводящих материалов.

Примечание — Слои печатной электроники могут включать в себя датчики различных типов, включая изображения и давления, тонсолленочную вторичную батарею, смарт-карту. RF-IC и т. д.

  • 3.16.31 печатный монтаж (printed wiring): Проводящий рисунок, который обеспечивает непосредственные соединения, но не имеет печатных компонентов заданной конфигурации на общем основании.

Примечание — См. также3.16.25.

  • 3.16.32 плата с печатным монтажом (printed wiring board): Печатная плата, которая обеспечивает непосредственные соединения, но не имеет печатных компонентов в заданной конфигурации на общем основании.

Прим еча н и е — См. также 3.16.25.

  • 3.16.33 печать (printing): Процесс воспроизведения рисунка на поверхности с помощью любого процесса.

  • 3.16.34 временная задержка (propagation delay): Время от выхода до входа, необходимое для прохождения сигнала по линии передачи, или время, необходимое логическому устройству для приема входного сигнала, выполнения своей функции и подачи сигнала на его выход.

  • 3.16.35 импульс (pulse): «Цифровой* Логический сигнал, который переключается из одного цифрового состояния в другое и обратно за короткий промежуток времени и остается в исходном состоянии большую часть времени.

3.17 Q

  • 3.17.1 QFP компонент с выступами (QFP with bumper. 8QFP): Корпус QFP с защитными выступами.

  • 3.17.2 прямоугольный компонент с J-выводами (quad flat J-lead. QFJ): Корпус прямоугольного компонента, содержащий электронное устройство, с выводами на всех четырех сторонах, имеющих форму «J».

  • 3.17.3 прямоугольный компонент без выводов (quad flat no-lead, QFN): Корпус прямоугольного компонента, в котором металлические накладки выводов выполнены на четырех сторонах нижней части корпуса.

  • 3.17.4 плоский корпус с выводами (quad flat pack. QFP. plastic QFP. PQFP): Универсальный квадратный или прямоугольный корпус компонента, содержащий полупроводниковый кристалл, с выводами со всех четырех сторон, которые имеют форму «крыло чайки».

  • 3.17.5 квалификационные испытания (qualification testing): Демонстрация способности удовлетворять всем требованиям, установленным для изделия.

  • 3.17.6 испытания на соответствие качества (quality conformance testing): Квалификационные испытания, которые выполняются на регулярной основе для того, чтобы продемонстрировать непрерывную способность изделия удовлетворять всем установленным требованиям по качеству.

3.18 R

  • 3.18.1 поток излучения (radiant flux): Энергия, испускаемая, передаваемая или принимаемая в виде излучения.

Примечание — Поток излучения измеряется в Вт.

  • 3.18.2 интенсивность излучения, мощность источника (radiant intensity, power of source): Частное от деления направленного потока излучения ДФе. вышедшего из источника и распространяющегося в элементе телесного угла d<2, содержащего данное направление, на элемент телесного угла.

, а*..

• ‘ on

Примечание — Интенсивность излучения измеряется в Вт/ср.

  • 3.18.3 излучение (radiation): «Инфракрасное» Тепловое излучение в инфракрасной области электромагнитного спектра.

  • 3.18.4 излучение (radiation): «Длинноволновое инфракрасное» Инфракрасная энергия, которая излучается на длине волны между 5 микрон и 100 микрон.

  • 3.18.5 излучение (radiation): «Средневолновое инфракрасное» инфракрасная энергия, которая излучается на длине волны между 2.5 мкм и 5 мкм.

  • 3.18.6 излучение (radiation): «Переиэлучение инфракрасное» Часть тепловой энергии, поглощаемой в среде, которая, в свою очередь, излучается в инфракрасной части электромагнитного спектра.

  • 3.18.7 излучение, ближнее инфракрасное излучение (radiation): «Коротковолновое инфракрасное» Инфракрасная энергия, которая излучается на длине волны между 0,78 мкм и 2.5 мкм.

  • 3.18.8 радиометрия (radiometry): Измерение излучения в оптическом спектре.

Примечание — Включает в себя инфракрасное (ИК). ультрафиолетовое (УФ) и видимое излучение.

  • 3.18.9 случайная выборка (random sample): Совокупность обьектов, взятых из множества таким образом, чтобы каждый отдельный объект в множестве имел одинаковую вероятность быть выбранным.

  • 3.18.10 отражение (reflection): «Распространение сигнала» Доля распространяющегося сигнала, отраженная обратно к своему источнику после того, как сигнал достиг неоднородности волнового сопротивления линии передач, по которой он распространяется.

  • 3.18.11 коэффициент отражения (reflection coefficient): Отношение мощности или напряжения микроволнового сигнала, отраженного от сопротивления нагрузки, которая присоединена к схеме или линии передачи, к мощности входного сигнала.

  • 3.18.12 относительная диэлектрическая проницаемость (relative permittivity): ср отношение диэлектрической проницаемости материала, к диэлектрической проницаемости вакуума.

  • 3.18.13 надежность (reliability): Вероятность того, что компонент или устройство будут (reliability функционировать должным образом в течение определенного периода времени под воздействием оговоренных условий внешней среды и условий работы.

  • 3.18.14 потери на отражение (return loss): Уровень отраженного сигнала, который является результатом несогласования между нагрузкой и источником.

Примечание — Как правило, выражается как отношение отраженной мощности к падающей мощности в дБ.

  • 3.18.15 жестко-гибкая двухсторонняя печатная плата, гибко-жесткая двухсторонняя печатная плата (rigid-flex double-sided printed board, flex-rigid double-sided printed board): Гибко-жесткая печатная плата с проводящими слоями на двух сторонах, содержащих один проводящий слой на гибкой основе материала, а другой на жестком материале основания.

  • 3.18.16 жестко-гибкая печатная плата, гибко-жесткая печатная плата, гибко-жесткая печатная схема (rigid-flex printed board, flex-rigid printed board, flex-rigid printed wiring board): Печатная плата с использованием гибкого материала основания и сочетания гибких и жестких материалов основания в различных областях.

Прим еча н и е — Гибкий и жесткий материал основания несет проводящие покрытия, которые обычно соединены между собой в комбинированной области.

  • 3.18.17 время нарастания (rise time): Интервал между моментами времени, в которых мгновенное значение импульса достигает первого заданного низкого значения, а затем заданного верхнего значения.

Прим еча н и е — Если не указано иное, нижние и верхние значения фиксируются на 10 % и 90 % от величины импульса.

  • 3.19 S

  • 3.19.1 план отбора проб (sampling plan): Статистически полученный набор размеров выборки, принимающий номера и/или отклонения, которое подтвердит, что данная партия материалов соответствует установленным AQL или LTPD.

  • 3.19.2 принципиальная схема (schematic diagram): Схема, которая показывает с помощью графических символов электрические соединения, компоненты и функциональные особенности элементов цепи.

  • 3.19.3 трафаретная печать (screen printing, silkscreening): Процесс переноса изображения на поверхность путем продавливания подходящего материала ракелем сквозь сито с нанесенным на него изображением.

  • 3.19.4 вторичная сторона (secondary side): Сторона сборки и структуры межсоединений, которая противоположна основной стороне.

Примечание 1 —Тоже самое, как «solder side» на печатных платах для технологии монтажа в сквозные отверстия.

Примечание 2 — См. также 3.16.22.

  • 3.19.5 секционная бобина (section beam): Фланцевый цилиндр, на который наматывается и накапливается нить с бобины или упаковки.

  • 3.19.6 частные технические условия (sectional specification. SS): Документ, в котором описываются особые требования к ограниченной части совокупности изделий, семейства или группы изделий, материалов или услуг.

  • 3.19.7 полупроводник (semiconductor): Твердый материал, такой, как кремний, который имеет удельное сопротивление, значение которого лежит в промежутке между проводниками и изоляторами.

  • 3.19.8 кристаллодержатель (semiconductor carrier): Корпус для кристалла полупроводника.

  • 3.19.9 сопротивление пленки (sheet resistance): Электрическое сопротивление плоской пленки из резистивного материала с однородной толщиной, измеренное между противоположными сторонами квадратного образца.

Прим еча н и е — Сопротивление пленки выражается в омах на квадрат.

  • 3.19.10 срок годности при хранении (shelflife): Продолжительность временного интервала, в котором сырье или полуфабрикат может храниться в определенных условиях без изменения каких-либо важных свойств.

  • 3.19.11 экранирование (shielding): «Электронный* Физический барьер, который обычно является электропроводным, который уменьшает взаимодействие электрических или магнитных полей с устройствами. цепями или частями цепей.

  • 3.19.12 SOP-компоненты с уменьшенным шагом выводов (shrink sop, SSOP): Семейство корпусов компонентов с четырьмя сторонами, каждая из которых способна обеспечить шаг выводов от 0,625 мм (0.0025 дюйма) до 0.3 мм (0.012 дюйма).

  • 3.19.13 сигнал (signal): Электрический импульс заданного напряжения, тока, полярности и формы импульса, представляющего информацию, подлежащую передаче.

  • 3.19.14 проводник сигнала (signal conductor): Индивидуальный проводник, который используется для передачи подаваемого электрического сигнала.

  • 3.19.15 линия связи (signal line): Проводник, используемый для передачи логического сигнала от одной части схемы к другой.

кремний на изоляторе (silicon on insulator. SOI)’*: Технология изготовления, использующая изолирующий материал в качестве материала основы вместо кремния, который может быть сапфиром (SOS).

Примечание — Кремний на изоляторе является общим гермином.

  • 3.19.16 кремний на сапфире (silicon on sapphire. SOS): Технология изготовления, использующая сапфир, вид корунда (А12О3), в качестве материала основы вместо кремния.

  • 3.19.17 однокристальный корпус (single chip package. SCP): Корпус интегральной схемы, содержащий только один полупроводниковый кристалл.

  • 3.19.16 корпус с однорядным расположением выводов (single-inline package. SIP): Корпус компонента с одним прямым рядом штырьковых или проволочных выводов.

  • 3.19.19 односторонняя сборка (single-sided assembly): Компоновка и структура межсоединений с компонентами, установленными только на одной стороне подложки.

Примечание — См. тахже 3.4.20.

  • 3.19.20 компонент SOJ (small outline J-!ead. SOJ): Универсальный прямоугольный корпус компонентов. в котором углубление для кристалла или монтажная область занимает большую часть площади корпуса, причем выводы на двух противоположных сторонах сформированы в форме «J».

  • 3.19.21 компонент SON (small outline по-lead SON): Универсальный прямоугольный корпус компонентов. в котором металлические накладки для выводов выполнены с двух сторон на нижней части корпуса.

  • 3.19.22 компонент SOP (small outline package SOP): Универсальный прямоугольный корпус компонентов. в котором углубление для кристалла или монтажная область занимает большую часть площади корпуса, причем выводы или металлические накладки для выводов сформированы на двух противоположных сторонах.

  • 3.19.23 паяемость (solderability): Способность металла смачиваться расплавленным припоем.

  • 3.19.24 способность к пайке (soldering ability): Способность специальной комбинации компонентов обеспечить формирование надлежащего паяного соединения.

Примечание — См. 3.19.23.

  • 3.19.25 танталовый чип-конденсатор (solid-tantalum chip component): Конденсатор в безвыво-дном корпусе, в котором в качестве диэлектрика используется оксид тантал.

  • 3.19.26 испытание подложки на изгиб (substrate bending test): Испытание подложки для определения ее сопротивляемости изгибу и воздействия изгиба на подложку и на любые компоненты, установленные на подложке.

  • 3.19.27 опорное кольцо (support ring, omnibus ring): Кольцо, выполненное из диэлектрического материала, которое используется для удерживания балочных выводов на фиксированных позициях друг относительно друга на внешней стороне корпуса.

3.19.26 опорная плоскость (supporting plane): Плоская структура, которая представляет собой часть корпуса и структуры межсоединений, обеспечивающая механическую опору, термомеханическое согласование, термическую проводимость и/или электрические характеристики.

Примечание 1 — Может быгъвнутреннейилиенешнейпоотношенмюкхорпусуиструктуре межсоединений.

Примечание 2 — См. также3.3.32.

3.19.29 системный корпус (system in package. SiP): Многокристальный корпус (МСР). который выполняет системную функцию.

  • 3.20 Т

  • 3.20.1 компоновка на ленте-носителе (tape carrier package. TCP): Компоновка полупроводникового устройства, которая использует ленту-носитель и покрытие смолой.

  • 3.20.2 концевой вывод (termination): Конец проводника, присоединяющий линию к клеммам, распределительному щитку, коммутатору или матрице.

Терминологическая статья приведена без номера в соответствии с IEC 60194-2:2017.

  • 3.20.3 толстопленочная схема (thick-film circuit): Микросхема, в которой пассивные компоненты металлокерамических композиций сформированы на подложке трафаретной печатью и обжигом.

  • 3.20.4 тонкая пленка (thin film): Пленка толщиной менее 0.1 мм. полученная процессом нанесения. например вакуумным или пиролитическим осаждением.

  • 3.20.5 тонкопленочная гибридная схема (thin-film hybrid circuit): Гибридная схема с тонкопленочными компонентами и межсоединениями.

Прим еча нив — См. также 3.8.6.

  • 3.20.6 тонкопленочная интегральная схема (thin-film integrated circuit): Гибридная интегральная схема, состоящая только из тонкопленочных компонентов и межсоединений.

Прим еча н и е — См. также 3.8.7.

  • 3.20.7 тонкий корпус с выводами с четырех сторон (thin QUAD flat pack. TQFP): Семейство по-верхностно-монтируемых интегральных схем в тонких пластмассовых корпусах.

  • 3.20.8 тонкий малогабаритный корпус (thin small outline package. TSOP): Корпус, имеющий и те же характеристики, что и корпус типа SOP. за исключением толщины, уменьшенной до 0.8—1.2 мм.

  • 3.20.9 прослеживаемость (traceability): Отслеживание, как минимум, производителя или процесса изготовления каждого элемента, используемого в блоке.

  • 3.20.10 линия связи (transmission line): Устройство для направления или кондуктивной передачи электромагнитной энергии от одной точки к другой.

Примечание 1 — Линия связи состоит из двух или более параллегъных проводников, разделенных диэлектриком.

Примечание 2 — Примечание — См. также 3.2.4, 3.21.1.

  • 3.20.11 выход с тремя состояниями (tri-state, high-impedance state): Состояние устройства с высоким полным сопротивлением, что позволяет эффективно отсоединять это устройство от других цепей.

  • 3.21 U

  • 3.21.1 несбалансированная линия связи (unbalanced transmission line): Линия связи, имеющая распределенные параметры индуктивности, емкости, сопротивления и проводимости, которые неравномерно распределены между ее проводниками.

  • 3.21.2 бескорпусная конструкция (uncased device): Компонент без корпуса.

  • 3.21.3 воздушно-струйный питатель ткацкого станка нитью (unfit): Устройство в составе ткацкого станка, которое автоматически вдувает нить в ушко уточной шпули из упаковки нити и обеспечивает поставку шпулей для челнока.

  • 3.21.4 пользователь (user): Физическое лицо, организация, компания или агентство, ответственные за приобретение электрических или электронных технических средств, и имеющие полномочия определять класс оборудования и любые варианты или ограничения (т. е. создатель/держатель контракта. в котором подробно изложены эти требования.

  • 3.22 V

  • 3.22.1 сверхбольшая интегральная схема: СБИС (very large scale integration. VLSI): Интегральная схема с более чем 80 000 транзисторов на одной подложке, которые соединены проводниками шириной 1 мкм или меньше.

  • 3.22.2 видимый свет (visible light): «диапазон» Электромагнитное излучение, имеющее длину волны от 0.39 до 0,78 мкм.

  • 3.23 W

  • 3.23.1 «вафля» (полупроводниковая пластина) (wafer, slice): Плоский срез полупроводникового кристалла либо такого материала, нанесенного на подложку, в котором может формироваться одна или несколько схем или устройств.

  • 3.23.2 корпус WLP (wafer level package. WLP): Технология частичной упаковки и защиты кристалла. все еще представляющего собой «вафлю», до того, как «вафля» разделена на отдельные кристаллы.

  • 3.23.3 корпус WLP (wafer-level package): «корпус CSP> Корпус CSP, размер которого обычно равен размеру полупроводникового устройства, которое он содержит, и который формируется путем обработки «вафли», а не отдельного устройства.

Примечание 1 — Вследствие тога, что обрабатывается «вафля», размер корпуса WLP может быть определен более мелкими размерами и более жесткими допусками, чем для корпусов, не являющихся корпусами WFL.

Примечание 2 — Размер корпуса будет меняться с изменением размера кристалла.

  • 3.23.4 волновод (waveguide): Линия передачи, состоящая из системы границ материала или структур для направления электромагнитных волн.

Примечание — Обычные формы волновода включают в себя металлические трубки, диэлектрические стержни и смешанные структуры проводящих и диэлектрических материалов.

  • 3.23.5 длина волны (wavelength): Расстояние в направлении распространения периодической волны между двумя последовательными точками, в которых фаза одинакова.

Примечание 1 —Длина волны измеряется в м.

Примечание 2 — Длина волны в среде равна длине волны в вакууме, деленной на коэффициент преломления среды. Если не указано иное, значения длины волны, как правило, принимается в воздухе. Показатель преломления стандартного воздуха (для спектроскопии: I = 15 * С. давление р = 101 325 Па) лежит между 1.00027 и 1.00029 для видимого излучения.

Примечание 3-л = V/F. где >. — длина волны вереде, V— фазовая скорость в этой среде. F— частота.

  • 3.23.6 микросоединение тонким проводом (wire bond): Завершенное соединение микропроэо-дом, обеспечивающее непосредственную электрическую связь между кристаллом и выводом.

  • 3.23.7 микропроволочный вывод (wire bonding): Микросоединение между кристаллом и материалом основания, выводной рамкой и т.д.

  • 3.24 Z

  • 3.24.1 корпус с выводами в линию зигзагом (zigzag in-line package): Корпус с выводами на одной стороне, которые расположены зигзагообразно.

Библиография

IEC 60068 (ail parts). Environmental testing

IEC 60050 (all parts), international Electrotechnical Vocabulary, available at http://www.electropedia.org/

IEC 60050-131:2002. International Electrotechnical Vocabulary— Part 131: Circuit theory

IEC 60050-131:2002/AMD1:2008

IEC 60050-131:2002/AMD2:2013

IEC 60050-151:2001. International Electrotechnical Vocabulary — Part 151: Electrical and magnetic devices

IEC 60050-1512001/AMD1:2013

IEC 60050-151-2001/AMD2:2014

IEC 60050-161:1990. International Electrotechnical Vocabulary — Chapter 161: Electromagnetic compatibility

IEC 60050-161:1990/AMD1:1997

IEC 60050-161:1990/AMD2:1998

IEC 60050-161:1990/AMD3:2014

IEC 60050-161:1990/AMD4:2014

IEC 60050-161:1990/AMD5:2015

IEC 60050-161:1990/AMD6:2016

IEC 60050-161:1990/AMD7;2017

IEC 60050-212:2010. International Electrotechnical Vocabulary — Part 212: Electrical insulating solids, liquids and gases

IEC 60050-212:2010/AMD1:2015

IEC 60050-212:2010/AMD2:2015

IEC 60050-521:2002, International Electrotechnical Vocabulary — Pari 521: Semiconductor devices and integrated circuits

IEC 60050-5212O02/AMD1:2017

IEC 60050-541:1990. International Electrotechnical Vocabulary — Chapter 541: Printed circuits

IEC 60050-541;1990/AMD1:2015

IEC 60050-704:1993. International Electrotechnical Vocabulary — Chapter 704: Transmission

IEC 60050-704:1993/AMD1:2016

IEC 60050-704:1993/AMD2:2017

IEC 60050-705:1995. International Electrotechnical Vocabulary — Chapter 705: Radio wave propagation

IEC 60050-705:1995/AMD1:2015

IEC 60050-705:1995/AMD2:2016

IEC 60050-705:1995/AMD3:2017

IEC 60050-723:1997. International Electrotechnical Vocabulary — Chapter 723: Broadcasting: Sound, television, data

IEC 60050-723:1997/AMD1:1999

IEC 60050-723:1997/AMD2:2016

IEC 60050-723:1997/AMD3:2017

IEC 60050-726:1982, International Electrotechnical Vocabulary — Transmission lines and waveguides

IEC 60050-726:1982/AMD1:2016

IEC 60050-726:1982/AMD2:2017

IEC 60050-841:2004. International Electrotechnical Vocabulary — Part 841: Industrial electroheat

IEC 60050-845:1987. International Electrotechnical Vocabulary — Lighting

IEC 60050-845:1987/AMD1:2016

УДК 621.3.049.75:006.354 ОКС31.180

31.190

Ключевые слова: печатная плата, проектирование, изготовление, техника электронного монтажа

БЗ 11—2019/6

Редактор Л.В. Коретникоеа

Технический редактор И.Е. Черепкова Корректор И.А. Королева Компьютерная верстка Е.А. Кондрашовой

Сдано а набор 1?.10.2019. Подписано а печать 29.10.2019. Формат 60*94%. Гарнитура Ариал

Усп. леч. л. 3.72. Уч.-изд. л. 3.16.

Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта

Создано в единичном исполнении во . 117416 Москва. Нахимовский пр-т. д. 31. к. 2. www.goslinfo.ru rifo@gostjnfo.ru

Оцените статью
Комментарии читателей